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可控硅之双向可控硅

来源:www.tatista.com 浏览量:载入中... 发布时间:2018.12.07


提起可控硅,相信大家都不陌生,它是一种大功率的电器元件,在自动控制系统中,可以作为大功率驱动器件来使用。在可控硅的基础上发展后,就形成了所谓的双向可控硅。双向可控硅不仅能代替两只反极性并联的可控硅,比普通的可控硅更简单的是,它仅仅只需要一个触发电路就能实现,这是比较理想的交流开关器件。

尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合,但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。小功率双向可控硅一般采用塑料封装,有的还带散热板。双向可控硅属于NPNPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通。双向可控硅由于正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方向导通。

双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成,工作原理与普通单向可控硅相同。
耐压级别的选择: 通常把VDRM(断态重复峰值电压)和 VR R M(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。 
电流的确定: 由于双向可控硅通常用在交流电路中,因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。
通态(峰值)电压 VT M 的选择: 它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VT M 小的可控硅。
维持电流: IH 是维持可控硅保持通态所必 需的极小主电流,它与结温有关,结温越高, 则 IH 越小。
电压上升率的抵制: dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个双向可控硅的关键参数。


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